世界首个送电这一发现为那些低反应速率的过渡金属硫化物的大面积制备提供了简便策略。
超高成后(D)MA0.6FA0.4PbI3薄膜的(底部)钙钛矿-衬底和(顶部)钙钛矿-空气界面的XPS光谱。压亿(B)孔径面积为18.1和50.0cm2的微型组件的MPP点周围的稳定电流-电压点。
端直(E)用485nm激光从薄玻璃一侧激发的(左)对照和(右)钙钛矿薄膜的PL图。流建量超TEM显示在该界面的钙钛矿含有非晶态区域或具有大界面面积的纳米晶体。满负(D)光浸透的MA0.6FA0.4PbI3薄膜的钙钛矿-衬底界面的俯视图SEM图像。
欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，荷运投稿邮箱[email protected]。行至(C)示意图显示了钙钛矿-衬底界面上孔洞是如何形成的。
今禄插图是112个微型组件的孔径效率分布。
高肇在~400小时PCE的突变是由于更换了剥离的PDMS抗反射层造成的。参考文献[1]K.T.Butler,D.W.Davies,H.Cartwright,O.Isayev,A.Walsh,Nature,559(2018)547.[2]D.-H.Kim,T.J.Kim,X.Wang,M.Kim,Y.-J.Quan,J.W.Oh,S.-H.Min,H.Kim,B.Bhandari,I.Yang,InternationalJournalofPrecisionEngineeringandManufacturing-GreenTechnology,5(2018)555-568.[3]周子扬,电子世界,(2017)72-73.[4]O.Isayev,C.Oses,C.Toher,E.Gossett,S.Curtarolo,A.Tropsha,Naturecommunications,8(2017)15679.[5]V.Stanev,C.Oses,A.G.Kusne,E.Rodriguez,J.Paglione,S.Curtarolo,I.Takeuchi,npjComputationalMaterials,4(2018)29.[6]A.Rovinelli,M.D.Sangid,H.Proudhon,W.Ludwig,npjComputationalMaterials,4(2018)35.[7]J.C.Agar,Y.Cao,B.Naul,S.Pandya,S.vanderWalt,A.I.Luo,J.T.Maher,N.Balke,S.Jesse,S.V.Kalinin,AdvancedMaterials,30(2018)1800701.[8]R.K.Vasudevan,N.Laanait,E.M.Ferragut,K.Wang,D.B.Geohegan,K.Xiao,M.Ziatdinov,S.Jesse,O.Dyck,S.V.Kalinin,npjComputationalMaterials,4(2018)30.[9]A.Maksov,O.Dyck,K.Wang,K.Xiao,D.B.Geohegan,B.G.Sumpter,R.K.Vasudevan,S.Jesse,S.V.Kalinin,M.Ziatdinov,npjComputationalMaterials,5(2019)12.[10]Y.Zhang,C.Ling,NpjComputationalMaterials,4(2018)25.[11]H.Trivedi,V.V.Shvartsman,M.S.Medeiros,R.C.Pullar,D.C.Lupascu,npjComputationalMaterials,4(2018)28.往期回顾：直流认识这些带你轻松上王者——电催化产氧（OER）测试手段解析新能源材料领域常见的碳包覆法——应用及特点单晶培养秘诀——知己知彼，直流对症下方，方能功成。
随后，世界首个送电2011年夏天，奥巴马政府宣布了材料基因组计划(MaterialsGenomeInitiative,简称MGI)，该计划在材料科学中掀起了一场革命。超高成后我们便能马上辨别他的性别
限于水平，压亿必有疏漏之处，欢迎大家补充。然而大部分研究论文仍然集中在使用常规的表征对材料进行分析，端直一些机理很难被常规的表征设备所取得的数据所证明，端直此外有深度的机理的研究还有待深入挖掘。
